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在不同類型的耳機(jī)插座中，半導(dǎo)體二極管的抗輻射能力優(yōu)于晶體管三極管，結(jié)型場效應(yīng)管的抗輻射能力優(yōu)于雙極晶體管，由分立器件構(gòu)成的電路的抗電離輻射能力優(yōu)于實(shí)現(xiàn)相同功能的單片集成電路，數(shù)字集成電路的抗中子輻射能力模擬集成電路。
在相同類型的耳機(jī)插座中，工作頻率越高，工作電流越大，開關(guān)時(shí)間越短，或者額定電源電壓越高，則抗輻射能力越強(qiáng)。例如，用相同工藝和材料制作的微處理器電路，要求10V電源的電路比要求5V電源的電路抗輻射能力強(qiáng)，因?yàn)?0V電源有3V的噪聲容限，而5V電源只有1.5V的噪聲容限。
如果選擇的插座在要求的時(shí)間內(nèi)承受不了啟動(dòng)電流的沖擊，插座的觸點(diǎn)就會(huì)出現(xiàn)電弧，使插座觸點(diǎn)燒焊在一起或因電弧飛濺而造成插座的損壞。
耳機(jī)插座在不同位置可控制同一盞燈，如位于樓梯口、大廳、床頭等，需預(yù)先布線。
